在可控硅整流電路的溝通輸人端、直流輸出端及元件上。都接有RC吸收網絡或硒堆等過電壓保護，因為可控硅的耐受過電壓的能力較差。而在溝通側及直流側會經常發生一些過電壓，如電網操作過電壓、雷擊過電壓、直流側電感負載電流驟變時感應過電壓、熔斷器熔斷引起過電壓和可控硅換向時過電壓等，都有能夠致使元件損壞或性能下降。所以要采納過電壓保護措施。